GA0603H122JBBAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)換和電機�(qū)動等場景。該器件采用先進的制造工藝,在開�(guān)速度、導(dǎo)通電阻以及熱性能方面表現(xiàn)出色,適用于要求苛刻的工�(yè)和汽車級�(yīng)用。此型號� N 溝道增強� MOSFET,支持大電流和高電壓操作,同時具有較低的�(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�30A
�(dǎo)通電阻:1.2mΩ
柵極電荷�85nC
輸入電容�1400pF
開關(guān)頻率:高� 1MHz
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247
GA0603H122JBBAR31G 的主要特性包括低�(dǎo)通電�,從而減少了傳導(dǎo)損�;具備較高的電流承載能力,適用于大功率系�(tǒng);其快速開�(guān)能力使得它非常適合高頻開�(guān)�(yīng)�;同時內(nèi)置了多重保護功能,例如過溫保護和過流限制,確保在極端條件下的可靠性�
此外,該芯片具有非常低的柵極電荷,這有助于減少開關(guān)過程中的能量損失,并提高整體系統(tǒng)的效率。出色的熱性能�(shè)計也使其能夠在高溫環(huán)境下長時間穩(wěn)定運��
該芯片廣泛用于各類高功率密度的應(yīng)用場景,包括但不限于 DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變�、電動工具、不間斷電源(UPS�、太陽能微逆變器以及電動汽車的電池管理系統(tǒng)(BMS�。憑借其卓越的電氣特性和耐用�,GA0603H122JBBAR31G 成為了許多工程師在設(shè)計高效能功率電路時的首選方案�
IRFZ44N
STP30NF06L
FDP16N60C
AO3400