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GA0603H122JBBAR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/22 1:56:40 查看 閱讀�22

GA0603H122JBBAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)換和電機�(qū)動等場景。該器件采用先進的制造工藝,在開�(guān)速度、導(dǎo)通電阻以及熱性能方面表現(xiàn)出色,適用于要求苛刻的工�(yè)和汽車級�(yīng)用。此型號� N 溝道增強� MOSFET,支持大電流和高電壓操作,同時具有較低的�(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�30A
  �(dǎo)通電阻:1.2mΩ
  柵極電荷�85nC
  輸入電容�1400pF
  開關(guān)頻率:高� 1MHz
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-247

特�

GA0603H122JBBAR31G 的主要特性包括低�(dǎo)通電�,從而減少了傳導(dǎo)損�;具備較高的電流承載能力,適用于大功率系�(tǒng);其快速開�(guān)能力使得它非常適合高頻開�(guān)�(yīng)�;同時內(nèi)置了多重保護功能,例如過溫保護和過流限制,確保在極端條件下的可靠性�
  此外,該芯片具有非常低的柵極電荷,這有助于減少開關(guān)過程中的能量損失,并提高整體系統(tǒng)的效率。出色的熱性能�(shè)計也使其能夠在高溫環(huán)境下長時間穩(wěn)定運��

�(yīng)�

該芯片廣泛用于各類高功率密度的應(yīng)用場景,包括但不限于 DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變�、電動工具、不間斷電源(UPS�、太陽能微逆變器以及電動汽車的電池管理系統(tǒng)(BMS�。憑借其卓越的電氣特性和耐用�,GA0603H122JBBAR31G 成為了許多工程師在設(shè)計高效能功率電路時的首選方案�

替代型號

IRFZ44N
  STP30NF06L
  FDP16N60C
  AO3400

ga0603h122jbbar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1200 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" � x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"�0.97mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-