GA0805Y823KBABR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先進的制造工藝設(shè)�,具備低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�。該器件廣泛�(yīng)用于電源管理、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及各類高效能開關(guān)電路�。其封裝形式緊湊,適合空間受限的�(yīng)用場��
該芯片屬于溝道型MOSFET,能夠在高頻條件下提供穩(wěn)定的性能表現(xiàn),同時支持大電流負載,是�(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的關(guān)鍵元��
型號:GA0805Y823KBABR31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�80V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�5A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�3.5mΩ (典型�,Vgs=10V)
功�(Ptot)�7W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
封裝形式:TO-252 (DPAK)
GA0805Y823KBABR31G 具備出色的電氣性能和可靠�,主要特點包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)特�,適用于高頻�(yīng)用場��
3. 高雪崩能量能�,確保在異常工作條件下的�(wěn)健��
4. 緊湊型封裝,有助于減少PCB占用面積�
5. 寬泛的工作溫度范�,適�(yīng)各種嚴苛�(huán)��
6. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
這些特性使得該器件成為眾多工業(yè)和消費類�(yīng)用的理想選擇�
GA0805Y823KBABR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)和適配器�(shè)��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流和降�/升壓�(zhuǎn)��
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護電路�
4. 消費類電子產(chǎn)品如筆記本電腦、平板電腦及智能手機的充電模��
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電機驅(qū)動與控制�
6. LED照明系統(tǒng)的恒流驅(qū)��
憑借其卓越的性能,這款MOSFET可以滿足不同�(yīng)用場景下的需��
GA0805Y823KBABR21G
IRFZ44N
FDP5800