時間：2025/5/22 11:29:06
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GA0603H103MXXAC31G 是一種基于氮化鎵 (GaN) 技術(shù)的高電子遷移率晶體管 (HEMT)，專為高頻、高功率射頻應(yīng)用設(shè)計。該器件采用先進的 GaN 工藝制造，具有出色的效率和增益性能，能夠在高頻條件下保持穩(wěn)定運行。其主要應(yīng)用于通信系統(tǒng)、雷達、衛(wèi)星通信等領(lǐng)域。
型號：GA0603H103MXXAC31G
類型：GaN HEMT
工作頻率范圍：3 GHz 至 6 GHz
輸出功率：50 W
增益：12 dB
效率：大于 65%
供電電壓：28 V
封裝形式：陶瓷氣密封裝
工作溫度范圍：-40℃ 至 +100℃
GA0603H103MXXAC31G 的主要特性包括高輸出功率、高效率和寬帶寬支持。該器件利用氮化鎵材料的優(yōu)異性能，在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色。此外，它具備良好的熱穩(wěn)定性，能夠適應(yīng)苛刻的工作環(huán)境。
由于采用了先進的半導(dǎo)體工藝，此器件在高頻條件下依然可以提供穩(wěn)定的增益和線性度，非常適合要求嚴格的射頻功率放大器設(shè)計。同時，它的低寄生電感設(shè)計也減少了開關(guān)損耗，進一步提升了整體性能。
該芯片廣泛用于高功率射頻放大器的設(shè)計，特別是在無線通信基礎(chǔ)設(shè)施（如基站）、軍事雷達系統(tǒng)、航空航天設(shè)備以及衛(wèi)星通信領(lǐng)域。由于其高效率和寬頻帶能力，也可以被集成到復(fù)雜的多通道射頻系統(tǒng)中，以實現(xiàn)高性能的信號處理功能。
GA0603H102MXXAC31G
GA0603H104MXXAC31G
