IRGP4066DPBF是由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的一款N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用DPAK封裝,適用于高效率開關電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動等應用場合。其低導通電阻特性有助于減少傳導損�,從而提高系�(tǒng)的整體效率�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流�18A
導通電阻(典型值)�3.5mΩ
柵極電荷�7nC
開關時間:開通延遲時� 12ns,關斷延遲時� 19ns
工作溫度范圍�-55℃至+150�
IRGP4066DPBF具有較低的導通電阻和柵極電荷,使其在高頻開關應用中表�(xiàn)出色�
該器件能夠在較高的結溫下�(wěn)定工�,適合工�(yè)及汽車環(huán)境中的嚴格要��
其DPAK封裝提供了良好的散熱性能,并且易于安裝在印刷電路板上�
此外,該MOSFET具備快速開關能�,能夠有效降低開關損�,從而提升系�(tǒng)效率�
�(nèi)置的雪崩能量處理能力使其能夠在異常條件下保持可靠性�
IRGP4066DPBF廣泛應用于各種功率電子領�,包括但不限于:
1. 開關模式電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機�(qū)動與控制
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
5. 工業(yè)自動化設�
6. 汽車電子系統(tǒng)
IRFP260N
STP18NF50
FDP15U60A