GA0603A120JXAAP31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,適用于高頻�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)的整體性能�
這款芯片特別適合需要高效率和低損耗的�(yīng)用場(chǎng)�,其�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì)可以提供良好的散熱性能,從而確保在高溫�(huán)境下依然保持�(wěn)定的�(yùn)��
型號(hào):GA0603A120JXAAP31G
�(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�30A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.2mΩ(典型��25℃)
總柵極電�(Qg)�45nC
輸入電容(Ciss)�1280pF
輸出電容(Coss)�90pF
反向恢復(fù)�(shí)�(trr)�45ns
工作溫度范圍(Ta)�-55℃至+175�
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
3. �(qiáng)大的耐熱能力和穩(wěn)定�,能夠在極端溫度范圍�(nèi)可靠�(yùn)行�
4. 緊湊的封裝設(shè)�(jì),方便布局并降低寄生電感影��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
6. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)芯片的魯棒��
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流和主�(kāi)�(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的高端和低端開(kāi)�(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的�(fù)載切��
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模塊�
6. 電動(dòng)�(chē)和混合動(dòng)力汽�(chē)中的逆變器組��
IRFZ44N
STP30NF06L
FDP157N06AE