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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA0603A120JXAAP31G

GA0603A120JXAAP31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/3 10:41:39 查看 閱讀�37

GA0603A120JXAAP31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,適用于高頻�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)的整體性能�
  這款芯片特別適合需要高效率和低損耗的�(yīng)用場(chǎng)�,其�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì)可以提供良好的散熱性能,從而確保在高溫�(huán)境下依然保持�(wěn)定的�(yùn)��

參數(shù)

型號(hào):GA0603A120JXAAP31G
  �(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�30A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.2mΩ(典型��25℃)
  總柵極電�(Qg)�45nC
  輸入電容(Ciss)�1280pF
  輸出電容(Coss)�90pF
  反向恢復(fù)�(shí)�(trr)�45ns
  工作溫度范圍(Ta)�-55℃至+175�

特�

1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
  3. �(qiáng)大的耐熱能力和穩(wěn)定�,能夠在極端溫度范圍�(nèi)可靠�(yùn)行�
  4. 緊湊的封裝設(shè)�(jì),方便布局并降低寄生電感影��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
  6. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)芯片的魯棒��

�(yīng)�

1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流和主�(kāi)�(guān)�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的高端和低端開(kāi)�(guān)�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的�(fù)載切��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模塊�
  6. 電動(dòng)�(chē)和混合動(dòng)力汽�(chē)中的逆變器組��

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP30NF06L
  FDP157N06AE

ga0603a120jxaap31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容12 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" �(zhǎng) x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"�0.97mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-