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PBSS5250X 發(fā)布時間 時間�2025/5/7 15:38:49 查看 閱讀�26

PBSS5250X 是一� N 溝道邏輯電平增強� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件以其低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度而著�,廣泛應(yīng)用于功率管理、負載開�(guān)、電機驅(qū)動和 DC-DC �(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。其封裝形式通常� SOT-23 或更小型化的表面貼裝封裝,適合空間受限的�(shè)計�
  這款 MOSFET 的設(shè)計使其能夠承受較高的漏源電壓,并且具備較低的柵極電荷特�,從而提高了效率并降低了開關(guān)損耗�

參數(shù)

最大漏源電�(V_DS)�30V
  連續(xù)漏極電流(I_D)�4.8A
  �(dǎo)通電�(R_DS(on))�45mΩ
  柵極閾值電�(V_GS(th))�1.6V
  總柵極電�(Q_g)�4nC
  功�(PD)�950mW
  工作溫度范圍(T_A)�-55°C � +150°C

特�

PBSS5250X 具有非常低的�(dǎo)通電� (R_DS(on)),在典型的工作條件下可有效降低傳�(dǎo)損耗,提升整體系統(tǒng)效率�
  其邏輯電平驅(qū)動能力使該器件能夠在較低的柵極驅(qū)動電壓下實現(xiàn)完全開啟狀�(tài),例如在 3.3V � 5V 系統(tǒng)中表�(xiàn)尤為出色�
  此外,PBSS5250X 提供了快速的開關(guān)性能,這得益于其較小的柵極電荷和輸入電�。這一特點使得它非常適合高頻應(yīng)用�
  由于采用了緊湊型封裝,此器件� PCB 布局方面提供了靈活性,并減少了整體解決方案的尺��
  最后,其高雪崩擊穿能力和堅固的 ESD 保護進一步增強了其可靠�,確保在惡劣�(huán)境下的長期穩(wěn)定運行�

�(yīng)�

PBSS5250X 廣泛用于需要高效功率切換的�(yīng)用場�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 移動�(shè)備中的負載開�(guān)和電池保護電��
  2. 便攜式電子設(shè)備中� DC-DC �(zhuǎn)換器和降壓穩(wěn)壓器�
  3. 電機�(qū)動和繼電器控制電��
  4. 固態(tài)繼電器和信號切換�
  5. 多種工業(yè)和消費類電子�(chǎn)品中的電源管理和配電模塊�

替代型號

AO3400
  IRLML6401
  FDMQ8207

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