GA0603A101JBAAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)換場�。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、快速開�(guān)速度和出色的熱性能,廣泛用于工�(yè)、通信和消費類電子�(shè)備中的開�(guān)電源(SMPS�、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)動等�(lǐng)��
這款芯片通過�(yōu)化的溝道�(jié)�(gòu)�(shè)�,能夠在高頻工作條件下提供卓越的能效表現(xiàn),同時具備良好的抗電磁干擾能�,確保系�(tǒng)運行的穩(wěn)定��
類型:功率MOSFET
封裝形式:TO-247
Vds(漏源極耐壓):60V
Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�1.5mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):100A
Qg(柵極電荷)�45nC
f(工作頻率):高�(dá)500kHz
�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
GA0603A101JBAAT31G 具有以下顯著特點�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少�(dǎo)通損�,提高整體效率�
2. 快速的開關(guān)速度和較低的柵極電荷(Qg�,適合高頻應(yīng)用環(huán)境�
3. �(qiáng)大的電流承載能力(Id可達(dá)100A�,支持大功率�(fù)��
4. 高耐壓性能(Vds�60V),能夠承受更高的電壓波��
5. 出色的熱管理�(shè)計,保證在高溫環(huán)境下仍能�(wěn)定運��
6. 封裝形式堅固耐用,便于散熱及安裝,適用于多種�(yīng)用場景�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下幾個領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(Switching Mode Power Supplies, SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)動電�
4. 太陽能逆變�
5. 工業(yè)自動化控制設(shè)�
6. 電動車充電模�
7. 通信電源系統(tǒng)
由于其高效能和高可靠�,GA0603A101JBAAT31G 成為許多高要求應(yīng)用場合的理想選擇�
GA0603A101JBAAT21G
IRFP2907
FDP18N60C
STW13NM60K