DMN66D0LDW是一款來自Diodes Incorporated的N溝道MOSFET,采用邏輯電平驅動設�,旨在實�(xiàn)低導通電阻和高效�。該器件適合于要求高效能和小尺寸的應用場景,廣泛用于消費電子、計算機外設以及通信設備中的開關和功率管理電�。其封裝形式為DFN3030-8,有助于節(jié)省PCB空間�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�12A
導通電阻:4.5mΩ
柵極閾值電壓:1.5V
總功耗:1.34W
工作溫度范圍�-55℃至150�
DMN66D0LDW具備非常低的導通電阻(Rds(on)�,僅�4.5毫歐,在高頻開關應用中能夠顯著降低傳導損��
其邏輯電平驅動設計允許直接與3.3V�5V邏輯信號兼容,簡化了驅動電路的設計�
此外,該器件采用了DFN3030-8封裝,具有優(yōu)良的熱性能和電氣性能,同時支持無鉛焊接工�,滿足RoHS標準�
由于其快速開關特性和低柵極電�,DMN66D0LDW非常適合同步整流、負載開�、DC-DC轉換器等應用�
DMN66D0LDW主要應用于需要高效率和低功耗的領域,例如:
便攜式電子設備中的電源管�,如智能手機和平板電��
筆記本電腦適配器及充電器中的同步整流�
LED驅動電路和電機控��
電信及網(wǎng)絡設備中的負載開關和保護電路�
DMN66D0LQ-7, PSMN0R9-30YL