GA0402H391JXAAC31G 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),屬于功率器件系�。該型號采用先進的制造工�,適用于高效率電源轉換和電機驅動等應用場��
該器件具有低導通電�、高開關速度以及�(yōu)異的熱性能,能夠顯著提高系�(tǒng)效率并降低功�。同�,其出色的電氣特性和可靠性使其成為眾多工�(yè)及消費類電子�(chǎn)品的理想選擇�
型號:GA0402H391JXAAC31G
類型:N-Channel MOSFET
封裝:TO-263 (D2PAK)
Vds(漏源極擊穿電壓):60V
Rds(on)(導通電�,典型值)�2.5mΩ
Id(持�(xù)漏極電流):120A
Qg(總柵極電荷):65nC
Vgs(th)(柵極開啟電壓)�2.5V~4.5V
fT(截止頻率)�2.7MHz
Pd(最大功耗)�180W
工作溫度范圍�-55� to +175�
GA0402H391JXAAC31G 具有以下主要特性:
1. 極低的導通電� Rds(on),有助于減少導通損耗并提升整體效率�
2. 高額定電� Id 和較低的 Qg �,支持高頻開關操��
3. 強大的熱管理能力,能夠適應嚴苛的工作�(huán)��
4. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且適合�(xiàn)代電子產(chǎn)品的需求�
5. �(yōu)化的短路耐受時間設計,增強了系統(tǒng)的可靠性和安全性�
6. 可靠的電氣性能,確保長期穩(wěn)定運��
GA0402H391JXAAC31G 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)中的同步整流器�
2. 電動工具和家用電器的電機驅動電路�
3. 工業(yè)自動化設備中的負載切換控��
4. 太陽能逆變器中的功率轉換模��
5. 電動汽車和混合動力汽車的動力管理系統(tǒng)�
6. LED 照明驅動電路以及其他需要高效功率處理的應用場景�
GA0402H391JXAAC21G, IRF3710, FDP5570N