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SI2302DS-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 12:11:53 查看 閱讀�28

SI2302DS-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 SOIC-8 封裝,適用于需要高效開�(guān)和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用場�。其主要特點(diǎn)是低�(dǎo)通電�、高電流處理能力和出色的熱性能,適合于消費(fèi)電子、工�(yè)控制以及通信�(shè)備中的電源管理和電機(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)��
  這款 MOSFET 的設(shè)�(jì)旨在減少功率損耗并提高效率,同�(shí)支持較寬的工作電壓范圍。它具有快速的開關(guān)速度和良好的抗雪崩能�,確保在�(yán)苛條件下也能�(wěn)定運(yùn)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�7.5A
  �(dǎo)通電阻:45mΩ(典型�,Vgs=10V�
  總功耗:1.6W
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝類型:SOIC-8

特�

SI2302DS-T1-GE3 提供了較低的�(dǎo)通電�,從而減少了傳導(dǎo)損�,提高了整體效率。其具備的高雪崩能量能力可以保護(hù)器件免受過電流和短路情況下的損害。此外,� MOSFET 的快速開�(guān)速度有助于降低開�(guān)損�,并使其非常適合高頻開關(guān)�(yīng)��
  器件采用� Vishay 的先�(jìn)工藝技�(shù)制�,確保了其卓越的電氣特性和可靠�。其小型化的 SOIC-8 封裝也便� PCB 布局�(shè)�(jì),節(jié)省空間的同時(shí)提供了優(yōu)異的散熱性能�
  在實(shí)際使用中,該器件能夠承受較高的漏極電流和瞬態(tài)電壓,因此非常適合要求嚴(yán)格的�(yīng)用環(huán)�。同�(shí),其耐高溫的能力�(jìn)一步擴(kuò)展了適用范圍�

�(yīng)�

SI2302DS-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于各種�(lǐng)�,包括但不限� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)�、電池管理模塊、LED �(qū)�(dòng)電路以及工業(yè)自動(dòng)化系�(tǒng)中的電源管理部分�
  由于其低�(dǎo)通電阻和高效率特�(diǎn),在便攜式電子產(chǎn)品如筆記本電腦適配器、智能手�(jī)充電器等場合也有出色表現(xiàn)。另�,它還被用于汽車電子中的非關(guān)鍵性功�,例如車身控制系�(tǒng)中的繼電器替代方��

替代型號(hào)

SI2303DS, SI2304DS

si2302ds-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)