GA0402H222JXXAC31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應用于電源管理、電機驅(qū)動和開關電路等領�。該芯片采用先進的制造工藝,具有低導通電�、高開關速度和出色的熱性能,能夠滿足多種復雜應用場景的需��
該型號屬于溝道增強型 MOSFET 系列,設計用于在高頻和大電流條件下提供高效的電力傳輸和轉(zhuǎn)��
類型:N-Channel MOSFET
導通電阻(Rds(on)):2.5 mΩ
最大漏源電壓(Vds):40 V
最大柵源電壓(Vgs):±20 V
連續(xù)漏極電流(Id):120 A
功耗:280 W
封裝形式:TO-247
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA0402H222JXXAC31G 的主要特性包括:
1. 極低的導通電� (2.5 mΩ),有效降低傳導損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高速開關性能,適合高頻應��
3. 強大的電流承載能� (120 A),適用于大功率場景�
4. 良好的熱�(wěn)定�,在極端溫度范圍�(nèi)仍能保持可靠的性能�
5. �(nèi)� ESD 保護功能,增強了芯片的抗靜電能力�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛設��
這些特性使� GA0402H222JXXAC31G 成為工業(yè)和汽車領域中理想的功率器��
該芯片的主要應用領域包括�
1. 開關電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電動車輛中的電機�(qū)動和逆變器控��
3. 工業(yè)自動化設備中的負載切��
4. 大功� LED �(qū)動電路�
5. 通信電源及不間斷電源 (UPS) 系統(tǒng)�
6. 充電器和適配器設計�
GA0402H222JXXAC31G 憑借其卓越的性能,成為上述應用的理想選擇�
IRFP2907, FDP18N40, STP120N40F5