EMT1GT2R是英飛凌(Infineon)生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET,該器件采用TO-252(DPAK)封裝。這款功率MOSFET具有低導(dǎo)通電阻、快速開�(guān)速度以及高效率等特�,非常適合用于消費類電子、工�(yè)控制、電信電源和適配器等�(lǐng)域中的DC-DC�(zhuǎn)換器、開�(guān)電源(SMPS)以及�(fù)載開�(guān)�(yīng)��
其設(shè)計注重在高頻開關(guān)條件下提供高效的性能表現(xiàn),同時保持良好的熱穩(wěn)定性和可靠��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流�3.8A
�(dǎo)通電阻(典型值)�70mΩ
柵極電荷�14nC
開關(guān)速度:快速開�(guān)
工作溫度范圍�-55℃至150�
EMT1GT2R是一款N溝道功率MOSFET,其主要特性如下:
1. 低導(dǎo)通電阻:典型值為70mΩ,這有助于降低�(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)能力:具有低柵極電荷和輸出電�,支持高頻開�(guān)�(yīng)用�
3. 高電流處理能力:能夠承載高達(dá)3.8A的連續(xù)漏極電流�
4. 良好的熱�(wěn)定性:能夠在較寬的工作溫度范圍�(nèi)保持�(wěn)定性能�
5. 小型封裝:采用TO-252(DPAK)封裝,適合緊湊型�(shè)計需��
6. 可靠性高:符合JEDEC�(biāo)�(zhǔn),保證了器件的長期可靠��
EMT1GT2R適用于以下應(yīng)用場景:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率級開�(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流或主開關(guān)�
3. 電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)�
4. 各類消費類電子產(chǎn)品中的電源管��
5. 工業(yè)�(shè)備及電信電源中的高效功率�(zhuǎn)��
6. 電機�(qū)動和LED�(qū)動電路中的功率開�(guān)元件�
IRLML6402, FDN340P, BSS138