GA0402A121JXAAP31G 是一款基于硅技術(shù)制造的高性能功率 MOSFET 芯片,主要用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載切換等應(yīng)用。該芯片采用了先進(jìn)的溝槽式 MOSFET 技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能。其封裝形式為表面貼裝類型,適合自動(dòng)化生產(chǎn),并能有效降低系統(tǒng)的整體功耗。
該器件的工作電壓范圍較寬,適用于多種工業(yè)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的高效功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。
型號(hào):GA0402A121JXAAP31G
類型:N-Channel Power MOSFET
工作電壓(Vds):60V
連續(xù)漏極電流(Id):28A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.5mΩ
柵極電荷(Qg):35nC
最大結(jié)溫(Tj):175℃
封裝:LFPAK56D
GA0402A121JXAAP31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on),能夠顯著減少傳導(dǎo)損耗,提高效率。
2. 高速開(kāi)關(guān)能力,支持高頻工作場(chǎng)景,有助于減小磁性元件體積。
3. 先進(jìn)的溝槽結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),提供卓越的電氣性能。
4. 內(nèi)置反向二極管功能,優(yōu)化了同步整流和續(xù)流路徑。
5. 良好的熱穩(wěn)定性和可靠性,適合長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行在高負(fù)載條件下。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì)。
7. 表面貼裝封裝,簡(jiǎn)化了 PCB 設(shè)計(jì)和組裝流程。
這款功率 MOSFET 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS),如適配器、充電器和 LED 驅(qū)動(dòng)電源。
2. 工業(yè)電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。
3. 汽車電子設(shè)備中的負(fù)載切換和 DC-DC 轉(zhuǎn)換。
4. 家用電器中的功率管理模塊。
5. 可再生能源系統(tǒng)中的逆變器和轉(zhuǎn)換器部分。
6. 數(shù)據(jù)通信設(shè)備中的電源管理單元。
GA0402A121JXAAP31H, IRF6640PBF, FDP067N06L