G4ATB102M 是一種基于陶瓷材料制造的多層片式電容器(MLCC�,廣泛應用于高頻濾波、耦合和旁路等電路�。該型號屬于高容�、小尺寸系列,具有良好的溫度�(wěn)定性和低ESL特�。其采用X7R介質(zhì),具備優(yōu)異的容量�(wěn)定�,在不同的溫度和電壓條件下表�(xiàn)�(wěn)定�
容量�1.0μF
額定電壓�6.3V
封裝�0402英寸
介質(zhì)類型:X7R
公差:�10%
工作溫度范圍�-55� � +125�
直流偏置特性:�
阻抗:高
耐濕等級:Level 1
頻率特性:適用于高頻應�
G4ATB102M 使用X7R介質(zhì),能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)保持�(wěn)定的容量性能。它的小尺寸封裝使其非常適合用于空間受限的設計場�,同時其低ESL設計能夠有效減少寄生效應,從而優(yōu)化高頻電路中的表�(xiàn)�
此外,這款電容器具有良好的自愈特性,即使在極端環(huán)境或長期使用下也能保持可靠的性能。其支持表面貼裝技術(SMT),安裝方便且效率高,適合大�(guī)模生�(chǎn)需��
G4ATB102M 主要應用于消費電�、通信設備以及工業(yè)控制等領�。典型的應用包括電源濾波、信號耦合、射頻模塊中的諧振與匹配�(wǎng)絡、音頻放大器的旁路電容以及數(shù)�(jù)處理芯片的去�。由于其出色的溫度特性和高頻表現(xiàn),它也常被用于汽車電子系�(tǒng)和物�(lián)�(wǎng)設備��
GCM1885X7R1H105K01A
GJM1885X7R1E105K01A
KEMCAP105K63X7R0402