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FV55N221J202EFG 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/23 7:19:38 查看 閱讀：9

FV55N221J202EFG是一款高性能的MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），屬于N溝道增強(qiáng)型器件。該芯片通常用于開(kāi)關(guān)和放大應(yīng)用，具有低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓和快速開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn)。它適用于多種電子設(shè)備，包括電源管理模塊、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器以及各種工業(yè)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品。
　　該型號(hào)采用了先進(jìn)的制造工藝，確保了其在高頻和高壓環(huán)境下的穩(wěn)定性能。此外，F(xiàn)V55N221J202EFG還具備良好的熱特性和抗電磁干擾能力，使其成為許多復(fù)雜電路設(shè)計(jì)的理想選擇。

參數(shù)

類型：N溝道 MOSFET
　　最大漏源電壓(Vds)：220V
　　最大柵源電壓(Vgs)：±20V
　　連續(xù)漏極電流(Id)：5.5A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：0.6Ω（典型值，在Vgs=10V時(shí)）
　　總功耗(Ptot)：87W
　　工作溫度范圍：-55℃至+150℃
　　封裝形式：TO-220AB

特性

1. 高擊穿電壓，適合高壓應(yīng)用環(huán)境。
　　2. 低導(dǎo)通電阻降低了功率損耗，提升了整體效率。
　　3. 快速開(kāi)關(guān)特性支持高頻操作，減少開(kāi)關(guān)損耗。
　　4. 具備出色的熱穩(wěn)定性，能夠在極端溫度范圍內(nèi)正常工作。
　　5. 抗靜電能力強(qiáng)，有助于提高產(chǎn)品的可靠性。
　　6. 封裝設(shè)計(jì)便于安裝和散熱，適應(yīng)多種PCB布局需求。
　　7. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無(wú)害。

應(yīng)用

1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的功率開(kāi)關(guān)。
　　2. 直流-直流轉(zhuǎn)換器(DC-DC Converter)。
　　3. 電機(jī)控制與驅(qū)動(dòng)電路。
　　4. 電池保護(hù)和管理系統(tǒng)(BMS)。
　　5. 照明系統(tǒng)，如LED驅(qū)動(dòng)電路。
　　6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的繼電器替代方案。
　　7. 各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電源管理單元。

替代型號(hào)

FQ55N221J202EFG, IRF540N, STP55NF06L

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