最大漏源電壓：100V
　　連續(xù)漏極電流：5.5A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：45mΩ
　　柵極-源極電壓：±20V
　　功耗：16W
　　工作溫度范圍：-55℃至+175℃
　　封裝類型：SOT-227B

FV55N101J302EFG具有以下關(guān)鍵特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻，可有效降低傳導(dǎo)損耗，提高系統(tǒng)效率。
　　2. 快速的開(kāi)關(guān)性能，能夠適應(yīng)高頻應(yīng)用環(huán)境，減少開(kāi)關(guān)損耗。
　　3. 高擊穿電壓（100V），確保在較高電壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
　　4. 優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，能夠在寬溫度范圍內(nèi)保持可靠的性能。
　　5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鉛設(shè)計(jì)，滿足環(huán)保要求。
　　6. 表面貼裝封裝，便于實(shí)現(xiàn)小型化和高密度電路板布局。
　　這些特點(diǎn)使得該MOSFET特別適合于需要高效率、小尺寸和良好散熱性能的應(yīng)用場(chǎng)景。

FV55N101J302EFG廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）中的初級(jí)或次級(jí)開(kāi)關(guān)。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器，包括降壓、升壓和反激拓?fù)洹?br>　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，用于控制直流或步進(jìn)電機(jī)。
　　4. 負(fù)載開(kāi)關(guān)，在便攜式設(shè)備中實(shí)現(xiàn)高效的電源管理。
　　5. 過(guò)流保護(hù)和電子保險(xiǎn)絲。
　　6. 各類工業(yè)控制和消費(fèi)電子產(chǎn)品的功率轉(zhuǎn)換模塊。
　　其高性能和可靠性使其成為眾多功率管理應(yīng)用中的優(yōu)選方案。

FQD18N10L, IRFZ44N, AO3400A