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IRF1010ZSTRLPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/3/10 14:08:09 查看 閱讀�236

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列:HEXFET?

   

目錄

概述

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列:HEXFET?

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點(diǎn):標(biāo)�(zhǔn)�

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�7.5 毫歐 @ 75A, 10V

    漏極至源極電�(Vdss)�55V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�75A

    Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�4V @ 250μA

    閘電�(Qg) @ Vgs�95nC @ 10V

    � Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �2840pF @ 25V

    功率 - 最大:140W

    安裝類型:表面貼�

    封裝/外殼:D2Pak,TO-263�2 引線 + 接片�

    包裝:帶� (TR)

    供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK



資料

廠商
Infineon Technologies

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  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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irf1010zstrlpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝800
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)55V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C75A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.5 毫歐 @ 75A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs95nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2840pF @ 25V
  • 功率 - 最�140W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片�,TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D2PAK
  • 包裝帶卷 (TR)
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