時間：2025/5/20 21:28:52
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FV42N151J302EFG 是一款由 Fairchild（現(xiàn)為 ON Semiconductor）生產(chǎn)的 N 溝道增強型 MOSFET。該器件采用先進的制造工藝，具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于多種功率轉(zhuǎn)換和電機驅(qū)動應用。其封裝形式為 TO-263（D2PAK），便于散熱設計和表面貼裝。
這款 MOSFET 的額定電壓為 150V，額定電流為 42A，能夠滿足高功率應用的需求。它在效率、可靠性和性能方面表現(xiàn)優(yōu)異，廣泛應用于工業(yè)、汽車和消費電子領域。
最大漏源電壓：150V
連續(xù)漏極電流：42A
導通電阻（典型值）：1.8mΩ
柵極電荷（典型值）：97nC
輸入電容：2220pF
總功耗：235W
工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +175℃
FV42N151J302EFG 具有以下主要特性：
1. 極低的導通電阻（Rds(on)），有助于降低傳導損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 高速開關能力，適合高頻功率轉(zhuǎn)換應用。
3. 強大的雪崩能力和魯棒性，確保在異常條件下也能正常工作。
4. 符合 RoHS 標準，環(huán)保且支持無鉛焊接工藝。
5. 寬工作溫度范圍，適應各種惡劣環(huán)境。
6. 封裝具備良好的熱性能，易于集成到緊湊的設計中。
該 MOSFET 廣泛應用于以下領域：
1. 開關電源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器的核心功率開關。
3. 電機驅(qū)動電路中的功率級元件。
4. 工業(yè)自動化設備中的負載切換。
5. 電動車和混合動力車中的電池管理系統(tǒng)（BMS）。
6. 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)的功率模塊。
FCH048N150T3, IRFB4115PBF, STP40NF150
