FV32N223J102EGG 是一款高性能� N 溝道增強� MOSFET,適用于需要高效率和低導通電阻的應用場景。該器件采用先進的制造工藝,具備出色的電氣性能和可靠�,廣泛應用于開關電源、電機驅�、負載切換等電力電子領域�
其封裝形式為 TO-263(D2PAK),具有良好的散熱特性和緊湊的安裝尺�,便于系�(tǒng)集成�
型號:FV32N223J102EGG
類型:N溝道增強型MOSFET
Vds(漏源極電壓):30 V
Rds(on)(導通電�,典型值)�2.5 mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):170 A
Vgs(th)(柵極開啟電壓)�2.2 V�4 V
Qg(總柵極電荷):10 nC
EAS(雪崩能量)�4 J
工作溫度范圍�-55 ℃~175 �
封裝:TO-263(D2PAK�
FV32N223J102EGG 具有以下顯著特點�
1. 極低的導通電� Rds(on),能夠有效降低導通損�,提高系�(tǒng)效率�
2. � Id 能力支持大電流應用需��
3. 寬工作溫度范圍確保其在極端環(huán)境下的可靠運行�
4. 小巧� D2PAK 封裝提供良好的熱性能,并簡化 PCB 設計�
5. 較低的柵極電� Qg 減少開關損�,適合高頻開關應用�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)要求�
這款 MOSFET 的設計使其成為高效能功率轉換的理想選擇,同時兼顧了成本與性能之間的平��
FV32N223J102EGG 主要應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)中的主開關管或同步整流管�
2. 電動工具和家用電器中的電機驅動電��
3. 工業(yè)自動化設備中的負載切換和保護�
4. 大功� LED 照明驅動��
5. 新能源汽車及混合動力汽車的電池管理系�(tǒng)(BMS)中作為功率開關元件�
6. 各種 DC-DC 轉換器和逆變器中的關鍵組��
由于其強大的電流處理能力和較低的導通電阻,該器件非常適合于需要高效能量傳輸和快速開關響應的應用場合�
FV32N223J102EFG, IRF3205, AO3205