時間：2025/5/28 11:41:22
閱讀：7
FV21N820J102ECG 是一款高性能的 N 溝道增強型 MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），由知名半導體制造商生產(chǎn)。該器件采用先進的制造工藝，具有低導通電阻、快速開關速度和高電流處理能力等特性，廣泛適用于各種功率轉(zhuǎn)換和控制應用。
這款 MOSFET 的封裝形式為 TO-252 (DPAK)，適合表面貼裝技術（SMT），從而節(jié)省空間并提高組裝效率。其設計優(yōu)化了熱性能和電氣性能，能夠滿足現(xiàn)代電子設備對高效能和可靠性的要求。
最大漏源電壓：820V
連續(xù)漏極電流：2.1A
導通電阻（典型值）：6.5Ω
柵極電荷：30nC
工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +150℃
功耗：2.9W
封裝：TO-252 (DPAK)
FV21N820J102ECG 具有以下顯著特點：
1. 極高的擊穿電壓（820V），確保在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定運行。
2. 超低的導通電阻（6.5Ω 典型值），降低了傳導損耗。
3. 快速開關能力，支持高頻操作，適合開關電源和電機驅(qū)動等應用。
4. 緊湊的 DPAK 封裝，便于表面貼裝和自動化生產(chǎn)。
5. 優(yōu)秀的熱特性和可靠性，能在極端溫度條件下保持性能。
6. 符合 RoHS 標準，環(huán)保且適合長期使用。
FV21N820J102ECG 廣泛應用于以下領域：
1. 開關電源（SMPS）中的功率開關元件。
2. 逆變器電路中的關鍵組件，用于光伏系統(tǒng)或不間斷電源（UPS）。
3. 電機驅(qū)動和控制電路，尤其是小型直流電機或步進電機的應用。
4. 電池保護和管理系統(tǒng)，例如電動車或儲能設備中的過流保護。
5. 各類工業(yè)控制設備中的功率調(diào)節(jié)和信號切換。
6. 高壓 LED 驅(qū)動電路和其他需要高壓開關的場景。
FV21N820J102ECB, FV21N820J102ECA, IRF820
