FS55X226K500EHG是一款高性能的MOSFET功率器件,屬于N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,在低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度方面表現(xiàn)出色,適合用于各類(lèi)電源管理應(yīng)用和功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。其封裝形式為T(mén)O-263(D2PAK),具有良好的散熱性能。
該型號(hào)專(zhuān)為高效率和高可靠性設(shè)計(jì),廣泛應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)以及各類(lèi)工業(yè)電子設(shè)備中。
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流:50A
導(dǎo)通電阻:4.5mΩ
柵極電荷:35nC
總電容:280pF
功耗:250W
工作溫度范圍:-55℃至175℃
FS55X226K500EHG的主要特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)能力,這使其能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
此外,它還具備出色的熱穩(wěn)定性和耐熱沖擊能力,適用于惡劣的工作環(huán)境。器件的柵極閾值電壓經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可以與標(biāo)準(zhǔn)邏輯電平兼容,從而簡(jiǎn)化了驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)。
它的封裝形式提供了優(yōu)越的散熱性能,使得在高電流應(yīng)用場(chǎng)景下也能保持較低的工作溫度。整體而言,這款器件在性能、可靠性和成本之間取得了良好的平衡。
FS55X226K500EHG適用于多種功率電子領(lǐng)域,包括但不限于以下場(chǎng)景:
1. DC-DC轉(zhuǎn)換器:作為主開(kāi)關(guān)管或同步整流管,用于提升轉(zhuǎn)換效率。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):支持高效無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)驅(qū)動(dòng)中的功率輸出級(jí)。
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:如可編程邏輯控制器(PLC)、伺服驅(qū)動(dòng)器等。
4. 負(fù)載開(kāi)關(guān):在汽車(chē)電子和消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中用作高效的負(fù)載控制元件。
5. 充電器和適配器:用于實(shí)現(xiàn)緊湊、高效的功率轉(zhuǎn)換方案。
FS55X226K500EFG, FS55X226K450EHG, IRF540N