DMN4035L是一款來自Diodes Incorporated的N溝道MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用DFN3030-8封裝形式,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適用于多種電源管理�(yīng)用。它在便攜式電子�(shè)�、消費類電子�(chǎn)品以及工�(yè)控制�(lǐng)域中表現(xiàn)�(yōu)異�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�6.1A
�(dǎo)通電阻:25mΩ
柵極電荷�7nC
總電容:49pF
工作溫度范圍�-55� to 150�
DMN4035L具備卓越的電氣性能,包括低�(dǎo)通電阻以減少功率損耗,從而提高效��
其小型DFN3030-8封裝適合空間受限的設(shè)計,并且可以承受較高的結(jié)�,增�(qiáng)了系�(tǒng)的可靠性�
此外,該MOSFET具有快速開�(guān)能力,有助于降低開關(guān)損�,非常適合高頻開�(guān)�(yīng)用。此器件還支持嚴(yán)格的ESD保護(hù)�(biāo)�(zhǔn),確保更高的抗靜電能力�
由于其出色的熱特性和電學(xué)性能,DMN4035L成為電池管理、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)動等�(yīng)用的理想選擇�
該MOSFET廣泛�(yīng)用于DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電池保�(hù)電路、電�(jī)�(qū)�、USB充電端口保護(hù)及各類便攜式電子�(shè)備中�
例如,在手機(jī)和平板電腦等移動�(shè)備中,DMN4035L可以用作高效能的電源開關(guān);在計算�(jī)外設(shè)和網(wǎng)�(luò)通信�(shè)備中,也可以用作信號切換或電源路徑管理組��
DMN4035UF, DMN4035UFG, FDS6680