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FS21B226M6R3EIG 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/31 0:08:21 查看 閱讀�13

FS21B226M6R3EIG 是一款由 Fairchild Semiconductor(現(xiàn)� ON Semiconductor)生�(chǎn)的功� MOSFET,屬� N 灃道 � MOSFET。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于多種功率�(zhuǎn)換應(yīng)��
  其主要用途包括開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動以及負(fù)載開�(guān)等場�。通過�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì)和出色的電氣性能,F(xiàn)S21B226M6R3EIG 可以在高頻和高效能要求的�(yīng)用中提供�(wěn)定的性能�

參數(shù)

型號:FS21B226M6R3EIG
  類型:N � MOSFET
  VDS(漏源電壓)�200V
  RDS(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�65mΩ
  ID(持�(xù)漏極電流):28A
  Qg(柵極電荷)�7nC
  fT(截止頻率)�2.9MHz
  封裝形式:TO-263-3
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C

特�

FS21B226M6R3EIG 的關(guān)鍵特性在于其低導(dǎo)通電阻(RDS(on)�,這可以顯著減少導(dǎo)通損耗,從而提高整體效��
  此外,該器件的高擊穿電壓�200V)使其能夠承受較高的電壓�(yīng)�,適合于工業(yè)和汽車應(yīng)用中的苛刻環(huán)境�
  它的柵極電荷較低,有助于�(shí)�(xiàn)快速開�(guān),從而降低開�(guān)損��
  同時(shí),其 TO-263-3 封裝提供了良好的散熱性能,并且易于安裝和集成到現(xiàn)有電路設(shè)�(jì)��
  總體而言,F(xiàn)S21B226M6R3EIG 是一款高性能的功� MOSFET,能夠在各種�(fù)雜應(yīng)用中表現(xiàn)出色�

�(yīng)�

FS21B226M6R3EIG 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):作為主開�(guān)管或同步整流管使��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器:適用于降壓、升壓和反激�?fù)浣Y(jié)�(gòu)�
  3. 電機(jī)�(qū)動:用于控制直流電機(jī)或步�(jìn)電機(jī)的速度和方��
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS):用于保護(hù)電池組免受過充或過放的影��
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備:如可編程邏輯控制器(PLC�、伺服驅(qū)動器等�
  6. 汽車電子:如電動助力�(zhuǎn)向系�(tǒng)(EPS�、車身控制模塊(BCM)等�

替代型號

FDP15N20,
  IRFZ44N,
  STP200N10,
  AO3400

fs21b226m6r3eig推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
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