FQU2N80 時(shí)間：2025/5/30 15:35:59 閱讀：9

FQU2N80是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），適用于高頻開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件采用TO-252封裝形式，具有低導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓的特性，適合用于直流-直流轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場景。
　　FQU2N80以其優(yōu)異的性能在功率電子領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用，特別是在需要高效能和小體積解決方案的設(shè)計(jì)中。

參數(shù)

最大漏源電壓：80V
　　連續(xù)漏極電流：2.6A
　　導(dǎo)通電阻：1.4Ω
　　柵極電荷：3nC
　　總功耗：1.3W
　　工作溫度范圍：-55℃ to 175℃

特性

FQU2N80的主要特性包括：
　　1. 高擊穿電壓：80V的額定電壓使其能夠承受較高的電源電壓。
　　2. 低導(dǎo)通電阻：1.4Ω的典型值可以有效減少導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。
　　3. 小尺寸封裝：TO-252封裝節(jié)省了PCB空間，適合緊湊型設(shè)計(jì)。
　　4. 快速開關(guān)速度：低柵極電荷確�？焖偾袚Q，降低開關(guān)損耗。
　　5. 寬工作溫度范圍：從-55℃到175℃的工作溫度范圍使其能夠在惡劣環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
　　6. 無鉛封裝：符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且易于焊接。

應(yīng)用

FQU2N80廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)電源（SMPS）：如適配器、充電器等設(shè)備中的功率開關(guān)。
　　2. 直流-直流轉(zhuǎn)換器：用于降壓或升壓電路中的主開關(guān)。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)：小型直流電機(jī)的驅(qū)動(dòng)控制。
　　4. 負(fù)載開關(guān)：保護(hù)電路免受過載或短路影響。
　　5. 電池管理系統(tǒng)：用于電池充放電路徑管理。
　　6. 固態(tài)繼電器：作為電子開關(guān)替代傳統(tǒng)機(jī)械繼電器。