IPG16N10S4-61是一款基于溝槽柵場效�(yīng)晶體管技�(shù)的N溝道增強型功率MOSFET。該器件具有低導(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和高可靠性等�(yōu)點,適合用于各類高效能轉(zhuǎn)換和功率管理�(yīng)用中。它廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負載開�(guān)等領(lǐng)域�
該芯片采用了先進的制造工�,能夠在較高的電流密度下工作,同時具備出色的熱性能和電氣特�。其封裝形式通常為表面貼裝類型,方便自動化生�(chǎn)和安��
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�16A
�(dǎo)通電阻:3.5mΩ
柵極電荷�75nC
開關(guān)頻率:高�1MHz
工作溫度范圍�-55℃至175�
封裝形式:TO-252(DPAK)
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),有效減少傳�(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)速度,支持高頻操作,滿足�(xiàn)代電力電子設(shè)備對高頻的需��
3. 高雪崩能力,增強了在異常條件下的耐用��
4. 熱穩(wěn)定性強,即使在極端溫度�(huán)境下也能保持�(wěn)定性能�
5. 符合RoHS標準,綠色環(huán)保設(shè)�,確保產(chǎn)品符合國際環(huán)保法�(guī)要求�
6. 小型化封裝設(shè)�,節(jié)省PCB空間,便于模塊化集成和緊湊型電路�(shè)計�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)或同步整流元��
2. 降壓或升壓型DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率開�(guān)�
3. 電機�(qū)動應(yīng)用中的H橋或半橋�(qū)動電��
4. 各種負載開關(guān)場合,如便攜式電子產(chǎn)品中的電池保護和電源切換�
5. 太陽能微逆變器和其他可再生能源轉(zhuǎn)換系�(tǒng)中的功率級組��
6. LED照明�(qū)動器中的�(guān)鍵功率處理單元�
IPD16N10S4-61
IPP16N10S4-61