FQU10N20是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),廣泛應用于功率電子領域。它具有低導通電�、快速開關速度和高效率的特點,適合在中等電壓條件下進行功率轉換或負載切��
該器件采用TO-252封裝形式,能夠提供良好的散熱性能和電氣穩(wěn)定�。由于其出色的電氣特�,F(xiàn)QU10N20常用于電源管�、電機驅�、DC-DC轉換器以及負載開關等應用�
最大漏源電壓:20V
最大連續(xù)漏極電流�10A
柵極閾值電壓:1V~2.5V
導通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,在Vgs=10V時)
總功耗:30W
工作結溫范圍�-55℃~150�
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有助于減少功率損耗并提高效率�
2. 快速開關能力,支持高頻應用,適合現(xiàn)代高效能設計�
3. 高雪崩能量能�,確保在異常情況下具備更高的可靠性�
4. 符合RoHS標準,環(huán)保且適合全球市場應用�
5. 內置反向二極管結�,可降低開關噪聲和電磁干擾(EMI��
6. 緊湊的TO-252封裝形式,便于安裝和集成到各種電路板��
1. 開關電源(SMPS)中的功率開��
2. DC-DC轉換器的核心元件,用作主開關或同步整流器�
3. 電機驅動電路中的功率級元�,控制電機的啟動、停止和調��
4. 各種負載開關場景,如電池管理系統(tǒng)中的保護開關�
5. 工業(yè)自動化設備中的功率調節(jié)器和信號放大��
6. 汽車電子系統(tǒng)中的繼電器替代方案�
FDP10N20C, IRLZ24N, AO3400