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FQP3P50 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/30 13:15:50 查看 閱讀：6

FQP3P50是一種N溝道功率MOSFET，采用TO-263封裝形式。該器件由Fairchild Semiconductor（現(xiàn)為ON Semiconductor）生產(chǎn)，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開關(guān)等場(chǎng)景中。其設(shè)計(jì)目的是在高頻開關(guān)應(yīng)用中提供高效的性能和低導(dǎo)通損耗。
　　FQP3P50的特點(diǎn)在于其較低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），能夠在高電流條件下保持高效運(yùn)行。此外，它還具有較高的雪崩擊穿能量能力，確保在異常工作條件下具備更高的可靠性。

參數(shù)

最大漏源電壓：50V
　　連續(xù)漏極電流：11A
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：48mΩ（典型值，在Vgs=10V時(shí)）
　　柵極-源極電壓：±20V
　　總功耗：79W
　　結(jié)溫范圍：-55℃至175℃
　　封裝形式：TO-263

特性

FQP3P50的主要特性包括：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），可降低傳導(dǎo)損耗，提高效率。
　　2. 高速開關(guān)能力，適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
　　3. 較高的雪崩擊穿能量，增強(qiáng)了器件在異常條件下的耐用性。
　　4. 熱穩(wěn)定性良好，適用于高功率密度設(shè)計(jì)。
　　5. 封裝形式堅(jiān)固耐用，適合表面貼裝工藝，便于自動(dòng)化生產(chǎn)。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足現(xiàn)代工業(yè)要求。

應(yīng)用

FQP3P50適用于以下應(yīng)用場(chǎng)景：
　　1. 開關(guān)電源中的功率轉(zhuǎn)換級(jí)。
　　2. 直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
　　3. 負(fù)載開關(guān)或保護(hù)電路。
　　4. 電池管理系統(tǒng)中的充放電控制。
　　5. LED驅(qū)動(dòng)器中的電流調(diào)節(jié)功能。
　　6. 各類工業(yè)設(shè)備中的功率管理模塊。
　　7. 通信設(shè)備中的電源管理單元。

替代型號(hào)

IRFZ44N
　　STP11NM50
　　AO3400

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fqp3p50參數(shù)

  • 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列QFET™
  • FET 型MOSFET P 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)500V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.7A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C4.9 歐姆 @ 1.35A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）5V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs23nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds660pF @ 25V
  • 功率 - 最大85W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-220
  • 包裝管件