2N7002KM 是一� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件廣泛應用于需要低電壓驅動和快速開關的電路�。其設計使其非常適合用于信號切換、負載開關以及高頻應用等場合�
2N7002KM 的特點是低漏源導通電� (Rds(on)) 和較低的柵極電荷,這使得它在功率效率和開關速度方面表現(xiàn)�(yōu)�。此外,由于其小型化封裝和高可靠�,它在便攜式電子設備和其他緊湊型系統(tǒng)中非常受歡迎�
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大漏電流(Id)�300mA
漏源導通電�(Rds(on))�1.8Ω(典型值,� Vgs=10V 時)
總功�(Ptot)�400mW
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
柵極電荷(Qg)�4nC(典型值)
輸入電容(Ciss)�15pF(典型值)
2N7002KM 具有以下顯著特性:
1. 高開關速度:由于其低柵極電�,該器件能夠在高頻應用中提供高效的性能�
2. 小尺寸封裝:采用標準 SOT-23 封裝,適合空間受限的應用�
3. 低導通電阻:確保了較高的功率效率并減少了熱量產生�
4. 可靠性強:即使在惡劣的工作環(huán)境下,如高溫或低溫條件下,仍然保持穩(wěn)定的性能�
5. 易于驅動:較低的柵極閾值電壓使其能夠由大多�(shù)邏輯電路直接驅動�
這款 MOSFET 常用于以下領域:
1. 開關電源� DC-DC 轉換器中的同步整��
2. 各種消費類電子產品中的負載開關和保護電路�
3. �(shù)據通信設備中的信號切換�
4. 工業(yè)控制系統(tǒng)的驅動電��
5. 電池供電設備中的功率管理模塊�
2N7002,
BS108,
FDN305P,
BSS138