日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊

您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > FQI5N60CTU

FQI5N60CTU 發(fā)布時間 時間�2025/5/15 12:15:05 查看 閱讀�21

FQI5N60CTU是一款由Fairchild(現(xiàn)為ON Semiconductor)生�(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�、逆變器以及其他需要高效能功率開關(guān)的場�。其�(shè)�(jì)特點(diǎn)是具有低�(dǎo)通電阻和高擊穿電�,能夠滿足多種工�(yè)和消�(fèi)類電子應(yīng)用需��
  該器件的最大漏源極電壓�600V,適合高壓環(huán)境下的操作,同時具備快速開�(guān)特性和良好的熱�(wěn)定�,確保在各種工作條件下的可靠��

參數(shù)

最大漏源極電壓�600V
  最大連續(xù)漏電流:5.7A
  最大柵源電壓:±20V
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.8Ω
  總功耗:94W
  �(jié)溫范圍:-55°C�+150°C
  封裝形式:TO-220

特�

FQI5N60CTU的主要特性包括高擊穿電壓、低�(dǎo)通電阻以及快速開�(guān)速度。這些特點(diǎn)使其非常適合用于要求高效率和高可靠性的電路中。此�,該器件還具有較低的輸入電容和輸出電�,有助于減少開關(guān)損��
  它采用了先�(jìn)的制造工藝,確保了器件在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定的性能。同時,其出色的雪崩能力�(jìn)一步增�(qiáng)了器件的耐用�,能夠在異常條件下保�(hù)電路免受損壞�
  在實(shí)際應(yīng)用中,F(xiàn)QI5N60CTU憑借其�(yōu)秀的電氣性能和機(jī)械結(jié)�(gòu),成為許多設(shè)�(jì)工程師的理想選擇。無論是硬開�(guān)還是軟開�(guān)�(yīng)�,這款MOSFET都能提供卓越的表�(xiàn)�

�(yīng)�

FQI5N60CTU適用于多種電力電子應(yīng)用領(lǐng)�,例如開�(guān)模式電源(SMPS�、直�-直流�(zhuǎn)換器、電磁閥�(qū)�、LED照明�(qū)動以及太陽能逆變器等�
  在開�(guān)電源�(lǐng)�,該器件可以用作主開�(guān)管,幫助�(shí)�(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)�。對于電�(jī)控制�(yīng)�,F(xiàn)QI5N60CTU可以用來�(gòu)建H橋或半橋電路,以精確地控制電�(jī)的運(yùn)行狀�(tài)�
  此外,在新能源領(lǐng)�,如光伏�(fā)電系�(tǒng)�,該MOSFET也可用作功率�(zhuǎn)換級的一部分,提高整個系�(tǒng)的效率和�(wěn)定��

替代型號

FQA5N60C, IRF540N, STP55NF06L

fqi5n60ctu推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

fqi5n60ctu參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列QFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4.5A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.5 歐姆 @ 2.25A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs19nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds670pF @ 25V
  • 功率 - 最�3.13W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�I2PAK
  • 包裝管件