時間�2025/6/3 20:22:46
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FQD5N30是一款N溝道增強型功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），適用于高頻開關和功率轉換應用。該器件采用TO-220封裝形式，具有低導通電�、高擊穿電壓和快速開關速度的特點，廣泛用于電源管理、電機驅�、逆變器等場景�
這款MOSFET通過�(yōu)化的芯片設計實現了高效的功率轉換，并且在高溫�(huán)境下依然能夠保持�(wěn)定的性能表現�
最大漏源電壓：30V
連續(xù)漏極電流�94A
導通電阻：1.6mΩ
柵極電荷�85nC
總功耗：78W
工作結溫范圍�-55℃至175�
封裝形式：TO-220
FQD5N30具備以下顯著特性：
1. 高電流承載能力：其高�94A的連續(xù)漏極電流使其非常適合大功率應用�
2. 極低的導通電阻：僅為1.6mΩ，這可以減少功率損耗并提高效率�
3. 快速開關性能：低柵極電荷使得開關時間更短，從而降低開關損��
4. 高可靠性：器件能夠在寬溫度范圍內穩(wěn)定運�，適合工�(yè)和汽車級應用�
5. 熱性能�(yōu)越：TO-220封裝提供了良好的散熱能力，進一步提高了器件的可靠��
6. 符合RoHS標準：環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
FQD5N30主要應用于以下領域：
1. 開關電源（SMPS）：包括AC/DC和DC/DC轉換器�
2. 電機驅動：控制各種類型的電動�，如步進電機、無刷直流電機等�
3. 逆變器：用于太陽能逆變器和其他電力轉換設備�
4. 負載切換：在配電系統(tǒng)中實現負載的快速切��
5. 電池管理系統(tǒng)：保護電池免受過充或過放的影��
6. 電子負載：模擬實際負載條件進行測試與驗��
FQP50N06L, IRFZ44N, STP90NF06
