IPP023N10N5是一款由Infineon(英飛凌)生產的N溝道增強型MOSFET。該器件采用了先進的TRENCHSTOP?技術,具有低導通電阻和高開關速度的特�,適合用于高效能開關電源、DC-DC轉換器以及電機驅動等應用場合�
IPP023N10N5的設計目標是提供出色的效率和熱性能表現,同時兼顧成本效�。其額定電壓�100V,能夠承受較高的瞬態(tài)電壓,確保在各種復雜�(huán)境下的可靠運行�
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�23A
導通電阻(典型值)�4.7mΩ
柵極電荷�38nC
輸入電容�1650pF
工作溫度范圍�-55℃至175�
封裝形式:TO-247
IPP023N10N5采用英飛凌的TRENCHSTOP? IGBT技術制�,具備以下顯著特點:
1. 極低的導通電阻Rds(on),有助于降低傳導損�,提高系統效��
2. 高速開關能�,能夠有效減少開關損耗�
3. �(yōu)化的柵極電荷設計,簡化了驅動電路設計并提高了整體可靠性�
4. 廣泛的工作溫度范�,使其適用于工業(yè)、汽車和其他高溫�(huán)境中的應用�
5. 強大的雪崩能力和短路耐受能力,增強了器件在異常條件下的魯棒��
6. 兼容標準的TO-247封裝,便于集成到現有設計��
IPP023N10N5廣泛應用于需要高效功率轉換和控制的領�,具體包括:
1. 開關電源(SMPS�,如服務器電源和通信電源�
2. DC-DC轉換�,用于電動汽車和混合動力汽車的動力管理系��
3. 電機驅動器,例如家用電器、工�(yè)自動化設備中的無刷直流電機控��
4. 新能源逆變�,如太陽能逆變器和風力�(fā)電系��
5. 各種工業(yè)電子負載和測試設��
IPP025N10N5
IPP023N10N4G
IRFP2907
FDP026N10A