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FQD4N20TM 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/15 11:24:20 查看 閱讀�23

FQD4N20TM 是一� N 滬道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET�,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等電路中。該器件采用 TO-252 封裝形式,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠滿足高效能�(yīng)用的需��
  這款 MOSFET 適用于中小功率場景,其耐壓能力高達(dá) 200V,同�(shí)具備良好的電流處理能力和熱穩(wěn)定�,非常適合于消費(fèi)電子、工�(yè)控制以及其他需要穩(wěn)定性能的領(lǐng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:200V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�4.3A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.1Ω(典型�,Vgs=10V�
  總功耗:1.3W
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�
  封裝形式:TO-252

特�

FQD4N20TM 的主要特�(diǎn)是其較低的導(dǎo)通電阻,這有助于減少�(dǎo)通狀�(tài)下的功率損�,從而提升整體效�。此�,該器件還具有快速開�(guān)能力,可以有效降低開�(guān)損��
  � MOSFET 的柵極閾值電壓較�,易于驅(qū)�(dòng),特別適合電池供電設(shè)備或其他低電壓應(yīng)用場��
  在設(shè)�(jì)上,它采用了先�(jìn)的制造工�,確保了較高的可靠性和�(wěn)定性,即使在極端溫度條件下也能保持�(yōu)良性能�
  另外,由于其較小的封裝尺�,非常適合對(duì)空間要求較高的應(yīng)用場��

�(yīng)�

FQD4N20TM 廣泛用于多種電子電路�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的開�(guān)元件
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)
  3. 逆變器與 DC-DC �(zhuǎn)換器
  4. LED �(qū)�(dòng)電路
  5. 電池保護(hù)及充電管�
  6. 各種�(fù)載切換和保護(hù)電路
  其高耐壓和低�(dǎo)通電阻使其成為這些�(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

FQP47P06,
  FQP50N06L,
  IRF540N,
  STP4NB60Z

fqd4n20tm推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fqd4n20tm參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列QFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.4 歐姆 @ 1.5A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs6.5nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds220pf @ 25V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-252,(D-Pak�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FQD4N20TM-NDFQD4N20TMFSTR