FQD4N20TM 是一� N 滬道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET�,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等電路中。該器件采用 TO-252 封裝形式,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠滿足高效能�(yīng)用的需��
這款 MOSFET 適用于中小功率場景,其耐壓能力高達(dá) 200V,同�(shí)具備良好的電流處理能力和熱穩(wěn)定�,非常適合于消費(fèi)電子、工�(yè)控制以及其他需要穩(wěn)定性能的領(lǐng)��
最大漏源電壓:200V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�4.3A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.1Ω(典型�,Vgs=10V�
總功耗:1.3W
工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�
封裝形式:TO-252
FQD4N20TM 的主要特�(diǎn)是其較低的導(dǎo)通電阻,這有助于減少�(dǎo)通狀�(tài)下的功率損�,從而提升整體效�。此�,該器件還具有快速開�(guān)能力,可以有效降低開�(guān)損��
� MOSFET 的柵極閾值電壓較�,易于驅(qū)�(dòng),特別適合電池供電設(shè)備或其他低電壓應(yīng)用場��
在設(shè)�(jì)上,它采用了先�(jìn)的制造工�,確保了較高的可靠性和�(wěn)定性,即使在極端溫度條件下也能保持�(yōu)良性能�
另外,由于其較小的封裝尺�,非常適合對(duì)空間要求較高的應(yīng)用場��
FQD4N20TM 廣泛用于多種電子電路�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的開�(guān)元件
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)
3. 逆變器與 DC-DC �(zhuǎn)換器
4. LED �(qū)�(dòng)電路
5. 電池保護(hù)及充電管�
6. 各種�(fù)載切換和保護(hù)電路
其高耐壓和低�(dǎo)通電阻使其成為這些�(yīng)用的理想選擇�
FQP47P06,
FQP50N06L,
IRF540N,
STP4NB60Z