時間：2025/5/29 23:58:22
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FQD3N50C是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220封裝形式。它具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的擊穿電壓，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、逆變器等領(lǐng)域。該器件能夠承受高達(dá)500V的漏源極電壓，并具備快速開關(guān)特性，適合高頻應(yīng)用。
最大漏源極電壓：500V
最大柵源極電壓：±20V
連續(xù)漏極電流：7.9A
導(dǎo)通電阻（典型值）：1.4Ω
總功耗：105W
結(jié)溫范圍：-55℃至+150℃
柵極電荷：18nC
反向恢復(fù)時間：45ns
FQD3N50C具有以下特點：
1. 高擊穿電壓，適用于高壓環(huán)境下的應(yīng)用。
2. 較低的導(dǎo)通電阻，有助于降低功率損耗。
3. 快速開關(guān)速度，減少開關(guān)損耗，適合高頻電路。
4. 穩(wěn)定的工作性能，在高溫條件下仍能保持良好的電氣特性。
5. TO-220封裝，便于安裝與散熱設(shè)計。
6. 提供優(yōu)秀的雪崩能力，增加系統(tǒng)可靠性。
這款MOSFET適用于多種電力電子應(yīng)用，包括但不限于開關(guān)電源中的功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、DC-DC變換器、逆變器電路、電磁閥驅(qū)動以及工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模塊。其高耐壓特性和低損耗表現(xiàn)使其成為這些領(lǐng)域中理想的功率開關(guān)元件。
IRF540N
FQP14N50
STP55NF06L
