FQD2N80是一款N溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET�,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(lǐng)�。該器件采用TO-220封裝,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的耐壓能力,能夠有效地減少功率損耗并提高系統(tǒng)的整體效率�
最大漏源電壓:800V
最大漏極電流:2A
柵源開啟電壓�4V~10V
�(dǎo)通電阻:2.8Ω(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
總功耗:75W
�(jié)溫范圍:-55℃~150�
FQD2N80具備高雪崩擊穿能力和快速開�(guān)速度,能夠在高頻�(yīng)用中保持較低的開�(guān)損��
其低�(dǎo)通電阻設(shè)�(jì)有助于降低傳�(dǎo)損耗,從而提升能效表�(xiàn)�
此外,該器件的高耐壓性能使其非常適合高壓電路�(huán)境中的開�(guān)�(yīng)��
FQD2N80還具有良好的熱穩(wěn)定性和可靠性,適用于各種工�(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)��
FQD2N80主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源和DC-DC�(zhuǎn)換器中的高頻開關(guān)元件�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率控制開關(guān)�
3. 各種�(fù)載切換電��
4. 電磁閥和繼電器驅(qū)�(dòng)�
5. 高壓脈沖�(fā)生器和其他需要高耐壓特性的電子�(shè)��
IRF840, K1106, STP2NB80