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時(shí)間：2025/5/21 11:15:26
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GA1206A390KBABR31G 是一款高性能的功率 MOSFET，采用先進(jìn)的制造工藝設(shè)計(jì)，主要用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用。該器件具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性和高可靠性，能夠顯著提升系統(tǒng)效率并降低功耗。
該型號(hào)屬于 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET，其封裝形式為 TO-252（DPAK），適合表面貼裝技術(shù)（SMT）組裝，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制和汽車電子領(lǐng)域。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：39A
導(dǎo)通電阻：1.2mΩ
柵極電荷：45nC
開關(guān)時(shí)間：典型值 15ns
工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +150℃
封裝類型：TO-252（DPAK）
GA1206A390KBABR31G 具有以下顯著特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），可有效減少傳導(dǎo)損耗，提高整體系統(tǒng)效率。
2. 快速的開關(guān)速度和低柵極電荷，適用于高頻開關(guān)應(yīng)用。
3. 高電流承載能力，確保在大功率應(yīng)用場(chǎng)景下的穩(wěn)定運(yùn)行。
4. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且可靠。
5. 良好的熱性能表現(xiàn)，有助于散熱管理。
6. 小巧的 DPAK 封裝形式，節(jié)省 PCB 空間。
GA1206A390KBABR31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的功率開關(guān)。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流 MOSFET。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)元件。
4. 各類負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
6. 汽車電子系統(tǒng)中的電池管理與配電應(yīng)用。
IRFZ44N
FDP5800
AON7718
