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FQD2N50 發(fā)布時間 時間:2025/5/20 21:23:19 查看 閱讀:16

FQD2N50是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、逆變器等領(lǐng)域。其高電壓和低導(dǎo)通電阻特性使其成為高效功率轉(zhuǎn)換的理想選擇。該器件采用了TO-220封裝形式,具有出色的散熱性能。
  這款MOSFET的最大漏源極電壓為500V,能夠承受較高的反向電壓,同時具備快速開關(guān)速度,適用于高頻開關(guān)應(yīng)用。其設(shè)計(jì)注重效率和可靠性,適合工業(yè)及消費(fèi)類電子產(chǎn)品的各種場景。

參數(shù)

最大漏源極電壓(Vds):500V
  最大柵源極電壓(Vgs):±20V
  漏極電流(Id):4.3A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.9Ω
  功耗(Ptot):115W
  結(jié)溫范圍(Tj):-55℃至+150℃
  封裝形式:TO-220

特性

1. 高耐壓能力:500V的漏源極電壓使其適用于高壓環(huán)境下的開關(guān)應(yīng)用。
  2. 快速開關(guān)速度:低輸入電容和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)使得開關(guān)損耗較低,非常適合高頻電路。
  3. 低導(dǎo)通電阻:在典型工作條件下,Rds(on)僅為2.9Ω,有助于減少傳導(dǎo)損耗。
  4. 高可靠性:具備雪崩擊穿保護(hù)功能,能夠承受短時間內(nèi)的過載情況。
  5. 良好的熱性能:采用標(biāo)準(zhǔn)TO-220封裝,易于安裝并具備優(yōu)秀的散熱能力。
  6. 廣泛的工作溫度范圍:支持從-55℃到+150℃的結(jié)溫范圍,適應(yīng)多種環(huán)境條件。

應(yīng)用

1. 開關(guān)電源(SMPS):用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC適配器中的功率開關(guān)。
  2. 電機(jī)驅(qū)動:控制直流無刷電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)的運(yùn)行狀態(tài)。
  3. 逆變器:在太陽能逆變器或其他類型逆變器中作為主開關(guān)元件。
  4. 電池保護(hù)電路:防止過充、過放等異常狀況對電池造成損害。
  5. 負(fù)載開關(guān):實(shí)現(xiàn)負(fù)載的動態(tài)開啟與關(guān)閉,降低系統(tǒng)能耗。

替代型號

IRF540N, STP55NF06L, FQP17N50

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