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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IS42S16100E-7TL

IS42S16100E-7TL 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/3 9:40:00 查看 閱讀�32

IS42S16100E-7TL 是一款由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生�(chǎn)� 16Mb�1M x 16)同步靜�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)。該芯片采用 CMOS 工藝制�,具有高速、低功耗的特點(diǎn),適用于需要高性能�(shù)�(jù)緩存和臨�(shí)存儲(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)�。其工作電壓� 3.3V,并支持多種�(shí)鐘頻率以�(mǎn)足不同系�(tǒng)需��
  這款 SRAM 芯片廣泛�(yīng)用于�(wǎng)�(luò)�(shè)備、通信基礎(chǔ)�(shè)�、圖形處理單元(GPU)、圖像處理器以及各種嵌入式系�(tǒng)��

參數(shù)

容量�16Mb (1M x 16)
  接口�(lèi)型:同步
  �(shù)�(jù)寬度�16 �
  核心電壓�3.3V
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  封裝形式:TQFP-100
  訪問(wèn)�(shí)間:7ns
  �(shí)鐘頻率:最� 143 MHz
  I/O 電壓�3.3V
  引腳�(shù)�100

特�

1. 支持同步突發(fā)模式操作,允許快速連續(xù)的數(shù)�(jù)傳輸�
  2. �(nèi)置自�(dòng)刷新功能,簡(jiǎn)化了系統(tǒng)�(shè)�(jì)�
  3. 具有低功耗待�(jī)模式,能夠顯著減少能��
  4. 支持多種突發(fā)�(zhǎng)度(� FULL�4 � 8�,以適應(yīng)不同的應(yīng)用需求�
  5. 引腳兼容性良�,便于升�(jí)或替換其他類(lèi)似規(guī)格的 SRAM 器件�
  6. 高速讀�(xiě)能力,確保實(shí)�(shí)�(shù)�(jù)處理的高效��
  7. 在工�(yè)�(jí)溫度范圍�(nèi)�(wěn)定運(yùn)�,適合苛刻環(huán)境下的應(yīng)��

�(yīng)�

1. �(wǎng)�(luò)交換�(jī)和路由器中的�(shù)�(jù)包緩��
  2. 電信基站和無(wú)�(xiàn)接入�(diǎn)中的臨時(shí)�(shù)�(jù)存儲(chǔ)�
  3. 圖形處理單元(GPU)和圖像處理器中的幀緩沖�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化控制系�(tǒng)中的程序緩存�
  5. �(yī)療成像設(shè)備中的圖像數(shù)�(jù)暫存�
  6. 嵌入式系�(tǒng)的高速數(shù)�(jù)緩沖和臨�(shí)存儲(chǔ)�

替代型號(hào)

IS42S16100F-7TL, IS42S16100G-7TL

is42s16100e-7tl推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

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  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
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is42s16100e-7tl參數(shù)

  • 制造商ISSI
  • �(chǎn)品種�(lèi)�(dòng)�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)�
  • �(shù)�(jù)總線(xiàn)寬度16 bit
  • 封裝 / 箱體TSOP-50
  • 存儲(chǔ)容量16 Mbit
  • 最大時(shí)鐘頻�143 MHz
  • 訪問(wèn)�(shí)�6 ns, 5.5 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min3 V
  • 最大工作電�130 mA
  • 最大工作溫�+ 70 C
  • 封裝Tray
  • 最小工作溫�0 C
  • 安裝�(fēng)�SMD/SMT
  • 工廠包裝�(shù)�117