FQD1N60是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),由Fairchild Semiconductor(現(xiàn)為ON Semiconductor)生�(chǎn)。該器件廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等�(chǎng)景,具有低導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓的特點(diǎn),能�?qū)崿F(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換�
這款MOSFET采用了TO-220封裝形式,適合于散熱要求較高的應(yīng)用場(chǎng)��
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�1.8A
柵極-源極電壓:�20V
�(dǎo)通電阻:4.5Ω
功耗:115W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
FQD1N60的主要特性包括:
1. 高耐壓能力,支�600V的最大漏源電壓,適用于高壓環(huán)境下的開�(guān)�(yīng)��
2. 低導(dǎo)通電阻,僅為4.5Ω,在高電流條件下能有效減少功率損耗�
3. 快速開�(guān)速度,有助于提高系統(tǒng)效率并降低電磁干��
4. �(qiáng)大的熱性能表現(xiàn),能夠在極端溫度范圍�(nèi)�(wěn)定運(yùn)��
5. TO-220封裝�(shè)�(jì),便于安裝與散熱管理�
這些特點(diǎn)使得FQD1N60成為各類功率�(zhuǎn)換和控制�(yīng)用的理想選擇�
FQD1N60的典型應(yīng)用場(chǎng)景包括:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)元件�
2. 直流電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用于控制電�(jī)的速度和方��
3. 逆變器電路中,作為高頻開�(guān)元件以實(shí)�(xiàn)交流電輸��
4. 電池充電器內(nèi)的功率調(diào)節(jié)模塊�
5. 各類工業(yè)�(shè)備中的負(fù)載切換控��
其高電壓和低�(dǎo)通電阻特性使其非常適合需要高效功率處理的電子系統(tǒng)�
IRF640N
FQP50N06L
STP10NK60Z