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FQD17N08LTM 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 17:14:04 查看 閱讀�20

FQD17N08LTM 是一� N 溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�,采� TO-252 封裝形式。該器件適用于高頻開�(guān)�(yīng)�,如 DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和電源管理電路等。其低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能使其成為高效能電子系�(tǒng)中的理想選擇�
  � MOSFET 具有出色的電氣特性和良好的熱�(wěn)定�,能夠承受較高的電流�(fù)載并保持較低的功耗�

參數(shù)

型號(hào):FQD17N08LTM
  封裝:TO-252
  最大漏源電� Vds�80V
  最大柵源電� Vgs:�20V
  最大連續(xù)漏極電流 Id�17A
  �(dǎo)通電� Rds(on)�40mΩ @ Vgs=10V
  總功� Ptot�36W
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

FQD17N08LTM 的主要特性包括:
  1. 高擊穿電壓:高達(dá) 80V 的漏源電�,確保在高壓�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行�
  2. 低導(dǎo)通電阻:Rds(on) 在典型條件下僅為 40mΩ,顯著降低導(dǎo)通損��
  3. 快速開�(guān)性能:優(yōu)化的電荷�(shè)�(jì)使得開關(guān)速度更快,減少開�(guān)損��
  4. �(yōu)秀的熱性能:封裝設(shè)�(jì)支持高效的熱量散�(fā),從而提高可靠��
  5. 小巧緊湊的封裝:TO-252 封裝節(jié)省了 PCB 空間,適合緊湊型�(shè)�(jì)�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn):綠色環(huán)�,滿足國(guó)際環(huán)保法�(guī)要求�

�(yīng)�

FQD17N08LTM 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電池管理系統(tǒng) (BMS),用于保�(hù)和控制電池充放電過程�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電�,適用于家用電器及工�(yè)自動(dòng)化設(shè)備�
  4. �(fù)載切換和保護(hù)電路,提供過�、短路保�(hù)功能�
  5. 便攜式電子設(shè)備中的電源管理模��
  6. 照明系統(tǒng)的調(diào)光與�(qū)�(dòng)控制,如 LED 照明�
  FQD17N08LTM 憑借其高性能和可靠�,在各種電力�(zhuǎn)換和控制�(chǎng)景中表現(xiàn)�(yōu)��

替代型號(hào)

FQP17N06L, IRLZ44N, FDN337AN

fqd17n08ltm推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fqd17n08ltm參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列QFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)80V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C12.9A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫歐 @ 6.45A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs11.5nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds520pF @ 25V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)