K9K8G08U0B-PIB0 是三星(Samsung)生�(chǎn)的一款基� NAND 技�(shù)的閃存芯�,主要應(yīng)用于�(shù)�(jù)存儲(chǔ)�(lǐng)域。該芯片具有高容�、高速度和低功耗的特點(diǎn),廣泛用于固�(tài)硬盤(SSD�、嵌入式存儲(chǔ)�(shè)備和其他需要大容量非易失性存�(chǔ)的應(yīng)用中�
該系列芯片采用先�(jìn)的工藝制�,提供卓越的性能和可靠�,適用于消費(fèi)電子、工�(yè)�(shè)備以及企�(yè)級存�(chǔ)解決方案�
存儲(chǔ)容量�64Gb (8GB)
接口類型:Toggle DDR 2.0
工作電壓�1.8V
封裝形式:BGA
I/O 引腳�(shù)�80
�(shù)�(jù)傳輸速率:最高可�(dá) 400MT/s
擦寫壽命:約 3000 次(視具體使用情況而定�
工作溫度范圍�-25°C � +85°C
K9K8G08U0B-PIB0 芯片采用多層單元(MLC)技�(shù),具備以下顯著特�(diǎn)�
1. 高密度存�(chǔ):單顆芯片即可提� 8GB 的存�(chǔ)容量,適合需要高密度存儲(chǔ)的應(yīng)用場��
2. 快速讀寫性能:支� Toggle DDR 2.0 接口�(xié)議,能夠?qū)崿F(xiàn)高達(dá) 400MT/s 的數(shù)�(jù)傳輸速率,顯著提升系�(tǒng)性能�
3. 低功耗設(shè)�(jì):采用先�(jìn)的低功耗架�(gòu),有效降低整體能�,延長電池驅(qū)�(dòng)�(shè)備的�(xù)航時(shí)間�
4. 可靠性保障:�(jīng)過嚴(yán)格的�(zhì)量控制流�,確保在各種�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行,同時(shí)具備較長的擦寫壽��
5. 廣泛的工作溫度范圍:能夠� -25°C � +85°C 的環(huán)境下正常工作,滿足不同應(yīng)用場景的需��
K9K8G08U0B-PIB0 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 固態(tài)硬盤(SSD):作為核心存儲(chǔ)組件,為 SSD 提供大容量和高性能的存�(chǔ)能力�
2. 嵌入式系�(tǒng):用于工�(yè)控制、汽車電子等對存�(chǔ)性能和可靠性要求較高的嵌入式設(shè)備�
3. 移動(dòng)�(shè)備:包括智能手機(jī)、平板電腦等便攜式電子設(shè)備中的存�(chǔ)�(kuò)展�
4. �(shù)字消�(fèi)類電子產(chǎn)品:如數(shù)碼相�(jī)、攝像機(jī)等需要快速存�(chǔ)大量�(shù)�(jù)的設(shè)備�
5. �(shù)�(jù)中心和企�(yè)級存�(chǔ):適用于�(gòu)建高�、可靠的企業(yè)級存�(chǔ)解決方案�
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