FQB8P10是一種N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-252封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適合應(yīng)用于直流-直流�(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)器以及其他需要高效功率切換的場景中�
由于其出色的性能,F(xiàn)QB8P10在便攜式�(shè)�、計(jì)算機(jī)外設(shè)及消�(fèi)類電子產(chǎn)品等�(lǐng)域得到了廣泛�(yīng)��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流�10A
�(dǎo)通電阻(典型值)�13mΩ
柵極電荷(典型值)�4nC
總電容(輸入電容):320pF
工作溫度范圍�-55℃至+150�
1. 低導(dǎo)通電阻設(shè)�(jì)有助于降低功耗并提升效率�
2. 快速開�(guān)特性減少了開關(guān)損��
3. 具備較高的雪崩擊穿能量能�,增�(qiáng)了器件的可靠��
4. 小巧的TO-252封裝形式能夠節(jié)省PCB空間�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保�
6. �(nèi)置ESD保護(hù)電路以提高抗靜電能力�
1. 開關(guān)電源中的功率開關(guān)元件�
2. 各種降壓或升壓DC-DC�(zhuǎn)換器�
3. 電池供電�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)控制�
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電源管理模塊�
5. 工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域的小型電機(jī)�(qū)�(dòng)�
6. LED照明系統(tǒng)的恒流驅(qū)�(dòng)電路�
FQD8N10, FDS6670A, IRLZ44N