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BSD3C051U2 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/26 20:22:03 查看 閱讀：9

BSD3C051U2是一款基于硅基材料制造的高壓MOSFET功率器件，采用先進(jìn)的溝槽式結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。該芯片主要應(yīng)用于高頻開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器等場(chǎng)景。其出色的導(dǎo)通電阻與低開(kāi)關(guān)損耗特性使其在效率要求較高的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
　　該器件具有增強(qiáng)型絕緣柵極結(jié)構(gòu)，能夠有效降低柵極電荷并提升開(kāi)關(guān)速度，同時(shí)具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性。

參數(shù)

最大漏源電壓：500V
　　連續(xù)漏極電流：4.3A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：0.7Ω
　　柵極電荷：19nC
　　總電容：380pF
　　工作溫度范圍：-55℃至150℃

特性

BSD3C051U2采用了先進(jìn)的制程技術(shù)，具備以下顯著特點(diǎn)：
　　1. 高擊穿電壓和較低的導(dǎo)通電阻使得器件在高電壓條件下仍能保持高效性能。
　　2. 極低的反向恢復(fù)電荷有助于減少開(kāi)關(guān)過(guò)程中的能量損失。
　　3. 快速開(kāi)關(guān)能力支持高頻操作，適合現(xiàn)代電力電子設(shè)備的需求。
　　4. 內(nèi)置ESD保護(hù)電路提高了器件在惡劣環(huán)境下的魯棒性。
　　5. 小尺寸封裝有利于節(jié)省PCB空間，方便布局設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

BSD3C051U2適用于多種工業(yè)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品領(lǐng)域，包括但不限于以下方面：
　　1. 開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）
　　2. 電動(dòng)工具及家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)
　　3. 光伏微逆變器和其他可再生能源相關(guān)設(shè)備
　　4. 各種類型的DC-DC轉(zhuǎn)換模塊
　　5. 車載充電器和LED驅(qū)動(dòng)電源解決方案

替代型號(hào)

BSD3C051U1, IRF840, STP50NF06

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