日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費注冊

您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > FQB5N60

FQB5N60 發(fā)布時間 時間�2025/6/4 2:05:13 查看 閱讀�11

FQB5N60是一款N溝道功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),由Fairchild Semiconductor(現(xiàn)為ON Semiconductor的一部分)生�(chǎn)。該器件適用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動和負載開關(guān)等應(yīng)用,能夠?qū)崿F(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換和控制。FQB5N60采用TO-220封裝,具有高耐壓、低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,適合中高電壓應(yīng)用環(huán)境�
  作為一款垂直結(jié)�(gòu)的MOSFET,F(xiàn)QB5N60通過其柵極電壓控制漏極和源極之間的電流流�,廣泛應(yīng)用于需要高性能功率管理的場��

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�4.8A
  柵極閾值電壓:3V~5V
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.5Ω(在Vgs=10V時)
  總功耗:135W
  工作�(jié)溫范圍:-55℃~150�
  封裝形式:TO-220

特�

FQB5N60的主要特性包括以下幾點:
  1. 高耐壓能力:最大漏源電壓達600V,適用于高壓�(yīng)用場��
  2. 低導(dǎo)通電阻:Rds(on)僅為3.5Ω(在Vgs=10V條件下),有助于降低傳導(dǎo)損��
  3. 快速開�(guān)性能:具備較短的開關(guān)時間,可減少開關(guān)損��
  4. �(wěn)定性強:能夠在廣泛的溫度范圍內(nèi)�(wěn)定工�,適用于惡劣的工作環(huán)��
  5. 小型化設(shè)計:采用�(biāo)準TO-220封裝,便于安裝和散熱管理�
  這些特性使得FQB5N60成為各種電力電子�(shè)備中的理想選�,尤其在需要高效能和高可靠性的場景下表�(xiàn)�(yōu)��

�(yīng)�

FQB5N60適用于多種電力電子應(yīng)用領(lǐng)�,包括但不限于:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):用于功率�(zhuǎn)換和�(diào)節(jié)輸出電壓�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器:實�(xiàn)直流電壓的升降變��
  3. 電機�(qū)動:控制電機的速度和方��
  4. 負載開關(guān):保護電路免受過流或短路的影響�
  5. 電池充電器:管理充電過程以優(yōu)化電池壽��
  由于其高耐壓和低�(dǎo)通電阻的特性,F(xiàn)QB5N60特別適合需要高效率和可靠性的電力系統(tǒng)�(shè)��

替代型號

FQP5N60S, IRF540N, STP5NK60Z

fqb5n60推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

fqb5n60資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載