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SUP53P06-20-E3 發(fā)布時間 時間�2022/10/12 11:31:36 查看 閱讀�1289

    VISHAY  SUP53P06-20-E3  晶體�, MOSFET, P溝道, 53 A, -60 V, 19.5 mohm, -10 V, -1 V

    The SUP53P06-20-E3 is a -60V P-channel TrenchFET? Power MOSFET.


概述

    VISHAY  SUP53P06-20-E3  晶體�, MOSFET, P溝道, 53 A, -60 V, 19.5 mohm, -10 V, -1 V

    The SUP53P06-20-E3 is a -60V P-channel TrenchFET? Power MOSFET.


參數(shù)

    通道�(shù)�

    針腳�(shù)�

    漏源極電阻:0.0195 Ω

    極性:P-Channel

    耗散功率�3.1 W

    閾值電壓:3 V

    漏源擊穿電壓�60 V

    連續(xù)漏極電流(Ids)�53.0 A

    上升時間�7 ns

    下降時間�40 ns

    工作溫度(Max)�150 �

    工作溫度(Min)�-55 �

    安裝方式:Through Hole

    引腳�(shù)�

    封裝:TO-220-3

    長度�10.51 mm

    高度�15.49 mm

    工作溫度�-55� ~ 150�


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sup53p06-20-e3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C9.2A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C19.5 毫歐 @ 30A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs115nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3500pF @ 25V
  • 功率 - 最�3.1W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220AB
  • 包裝管件