FQB3P20是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),適用于多種功率�(zhuǎn)換和開關(guān)�(yīng)�。該器件采用了先進的工藝技�(shù),能夠提供低�(dǎo)通電阻和高效率的性能。其封裝形式通常為TO-252(DPAK�,具有良好的散熱性能和緊湊的�(shè)�,適合在空間受限的應(yīng)用中使用�
這款MOSFET廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、負載開�(guān)、電機驅(qū)動等�(lǐng)�,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)的整體效��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�14A
�(dǎo)通電阻(典型值)�2.8mΩ
柵極電荷�29nC
開關(guān)速度:快�
工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�
1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠顯著降低導(dǎo)通損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 高雪崩耐量能力,增強了器件在異常情況下的可靠��
3. 快速開�(guān)特�,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
4. 符合RoHS標準,環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
5. 封裝�(shè)計緊�,便于在有限空間�(nèi)進行布局�
6. 高電流承載能�,確保在大負載條件下�(wěn)定運行�
1. 開關(guān)電源中的功率開關(guān)元件�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流或主開關(guān)�
3. 電池保護電路中的負載開關(guān)�
4. 電機�(qū)動電路中的功率級開關(guān)�
5. 各種工業(yè)控制和汽車電子應(yīng)用中的功率管理模��
FQD12N10,
FQP12N06,
IRLZ44N,
AO3400