GA1206A151KBABR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開�(guān)電源、電機驅(qū)動和負載切換等應�。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電阻和高開�(guān)速度的特�,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠性�
這款芯片屬于溝道增強� MOSFET,其�(shè)計旨在滿足高電流和高頻應用的需求,同時提供出色的熱性能和電氣特��
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓:120V
最大連續(xù)漏極電流�6A
導通電阻:15mΩ
柵極電荷�38nC
開關(guān)頻率:最高可� 1MHz
封裝形式:TO-252 (DPAK)
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA1206A151KBABR31G 具有以下主要特性:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,在典型條件下僅� 15mΩ,有助于減少傳導損��
2. 高速開�(guān)能力,支持高� 1MHz 的開�(guān)頻率,適合高頻應用環(huán)��
3. �(nèi)� ESD 保護電路,增強抗靜電能力,提升系�(tǒng)�(wěn)定��
4. �(yōu)化的熱性能�(shè)�,即使在高溫�(huán)境下也能保持�(wěn)定運��
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且適用于全球市��
6. 緊湊� TO-252 封裝,節(jié)� PCB 空間并簡化布局�(shè)��
該芯片廣泛應用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器和主開關(guān)�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心功率級組件�
3. 電機�(qū)動電路中的功率輸出級�
4. 各類負載切換和保護電��
5. 工業(yè)控制�(shè)備中的功率管理模塊�
6. 消費類電子產(chǎn)品的電源管理系統(tǒng)�
GA1206A152KBABR31G, IRFZ44N, FDP150N10S