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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > FQAF13N80

FQAF13N80 發(fā)布時間 時間�2025/5/13 8:37:28 查看 閱讀�33

FQAF13N80 是一� N 溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET),� Fairchild Semiconductor(現(xiàn)� ON Semiconductor)生�(chǎn)。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的雪崩能力等特�(diǎn)。它廣泛�(yīng)用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的場景,如電�(jī)�(qū)�、開�(guān)電源、逆變器等�
  FQAF13N80 的設(shè)計使其能夠在高電壓環(huán)境下�(wěn)定工�,同時保持較低的功耗,非常適合要求高性能和可靠性的工業(yè)及消�(fèi)類電子應(yīng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:800V
  連續(xù)漏極電流�1.62A
  �(dǎo)通電阻:4.5Ω
  柵極電荷�28nC
  輸入電容�1380pF
  最大功耗:19W
  �(jié)溫范圍:-55� � +150�

特�

FQAF13N80 具有以下顯著特性:
  1. 高耐壓能力:額定電壓高�(dá) 800V,適用于高壓�(yīng)用環(huán)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:在典型條件下,導(dǎo)通電阻僅� 4.5Ω,有助于降低傳導(dǎo)損耗�
  3. 快速開�(guān)性能:得益于�(yōu)化的�(nèi)部結(jié)�(gòu),其開關(guān)速度較快,可有效減少開關(guān)損��
  4. 出色的雪崩能力:能夠承受過載條件下的能量沖擊,提高了系統(tǒng)的可靠��
  5. 小封裝設(shè)計:采用 TO-220 封裝形式,便于安裝且散熱性能良好�
  6. 廣泛的工作溫度范圍:支持� -55� � +150� 的結(jié)溫范�,適�(yīng)各種極端�(huán)��

�(yīng)�

FQAF13N80 可用于多種電力電子設(shè)備中,常見的�(yīng)用場景包括:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):作為主開�(guān)管或同步整流管使用�
  2. 逆變器:在太陽能逆變器或其他類型的逆變器中�(fù)�(zé)功率�(zhuǎn)��
  3. 電機(jī)�(qū)動:用于控制直流無刷電機(jī)或其他類型電�(jī)的運(yùn)行狀�(tài)�
  4. 照明系統(tǒng):例� LED �(qū)動電路中的功率調(diào)節(jié)部分�
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備:� PLC 控制�、伺服驅(qū)動器等需要高效功率管理的場合�
  6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:如電視機(jī)、音響等�(shè)備中的電源管理模��

替代型號

FQA13N80,
  STP17NF80,
  IRFBG10U,
  IXTH10N80T2

fqaf13n80推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

fqaf13n80資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

fqaf13n80參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝30
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列QFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)800V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C8A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C750 毫歐 @ 4A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs88nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3500pF @ 25V
  • 功率 - 最�120W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼SC-94
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-3PF
  • 包裝管件