FN21X681K500PXG 是一款高性能� MOSFET 功率晶體管,適用于高效率功率�(zhuǎn)換和開關(guān)�(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度以及�(yōu)異的熱性能,能夠顯著提升系�(tǒng)的整體效率和可靠性�
FN21X681K500PXG 的設(shè)�(jì)使其非常適合工業(yè)、通信電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品的�(yīng)用領(lǐng)域。其封裝形式�(yōu)化了散熱性能,同�(shí)支持表面貼裝技�(shù),便于自�(dòng)化生�(chǎn)�
類型:MOSFET
極性:N-Channel
最大漏源電�(Vds)�650V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�42A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�45mΩ
總功�(Ptot)�395W
工作溫度范圍�-55� to +175�
封裝形式:TO-247-3
FN21X681K500PXG 具有以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可有效降低傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)能力,適合高頻功率轉(zhuǎn)換應(yīng)��
3. �(yōu)秀的熱�(wěn)定�,能夠在高溫�(huán)境下�(zhǎng)期可靠運(yùn)��
4. �(nèi)置反向恢�(fù)二極�,減少開�(guān)過程中的能量損耗�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
6. 封裝�(shè)�(jì)支持高功率密度和高效的散熱管理�
7. 良好的抗靜電能力 (ESD),提高器件在�(shí)際應(yīng)用中的耐用性�
FN21X681K500PXG 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � AC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電路�
3. 工業(yè)逆變器和不間斷電� (UPS) 系統(tǒng)�
4. 太陽能微逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)�
5. 電動(dòng)車充電設(shè)備和車載電子系統(tǒng)�
6. 高壓 DC-DC �(zhuǎn)換器� LED �(qū)�(dòng)電路�
7. 任何需要高效率功率開關(guān)的場(chǎng)��
IRFP260N, FDP067N06L, STP06NK60Z