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MGSF1P02LT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/9 17:59:38 查看 閱讀�22

MGSF1P02LT1G是一款由ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,旨在提供高效的開關(guān)性能和低�(dǎo)通電�。MGSF1P02LT1G通常用于需要高效率和低功耗的�(yīng)用場(chǎng)�,例如電源管�、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開�(guān)�。其�(shè)�(jì)�(yōu)化了熱性能,并具有良好的電氣特�,適用于廣泛的工�(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品�

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  封裝:TO-263 (D2PAK)
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�58A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.2mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
  總功�(Ptot)�140W
  工作�(jié)溫范�(Tj)�-55℃至+175�

特�

MGSF1P02LT1G具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,可有效降低傳�(dǎo)損��
  2. 高電流承載能力,支持高達(dá)58A的連續(xù)漏極電流�
  3. 快速開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
  4. 采用TO-263封裝,具備出色的散熱性能�
  5. 寬工作溫度范�,能夠在極端�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保�
  這些特性使得MGSF1P02LT1G成為高性能功率�(zhuǎn)換和控制的理想選擇�

�(yīng)�

MGSF1P02LT1G廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS),如AC-DC適配器和充電��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器,包括降壓和升壓�?fù)�?br>  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用于控制小型直流或步�(jìn)電機(jī)�
  4. �(fù)載開�(guān),用作高效電子開�(guān)�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
  6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電池管理單��
  MGSF1P02LT1G憑借其�(yōu)異的電氣特性和可靠�,能夠滿足多種功率處理需求�

替代型號(hào)

IRLB8748PBF, FDP5500, AO4499

mgsf1p02lt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)