FN21N1R5B500PAG是一款高壓MOSFET功率晶體�,采用TO-247封裝形式。該器件適用于高電壓和大電流應用場合,廣泛用于開關電�、逆變�、電機驅動等場景。其設計結合了低導通電阻降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓:1500V
連續(xù)漏極電流�21A
導通電阻:1.3Ω
柵極電荷�95nC
總功耗:360W
工作溫度范圍�-55℃至175�
FN21N1R5B500PAG具有高耐壓能力,能夠在高達1500V的環(huán)境下�(wěn)定運�,同時具備較低的導通電�,從而減少熱損耗并提高效率�
該器件采用了先進的制造工藝,�(yōu)化了開關特性和熱性能,使其在高頻應用中表�(xiàn)出色�
此外,其堅固的設計和寬廣的工作溫度范圍確保了其在惡劣�(huán)境下的可靠��
該芯片主要應用于高壓電源轉換領域,包括但不限于以下方面:
1. 開關模式電源(SMPS�
2. 逆變器和不間斷電源(UPS�
3. 工業(yè)電機控制
4. 太陽能逆變�
5. 高壓驅動電路
由于其高電壓承受能力和大電流處理能力,非常適合需要高效能量轉換和嚴格電氣隔離的應用場景�
FND21N150P3G
IRFP260N
STW85N150Z